薄膜表面或界面的反射光會(huì)與從基底的反射光相干涉，干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數(shù)等有關(guān)，因此可通過(guò)計(jì)算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無(wú)損、精確且快速的光學(xué)薄膜厚度測(cè)量技術(shù)，我們的薄膜測(cè)量系統(tǒng)采用光干涉原理測(cè)量薄膜厚度。 該產(chǎn)品是一款價(jià)格適中、功能強(qiáng)大的膜厚測(cè)量?jī)x器。近幾年，每年的全球銷售量都超過(guò)200臺(tái)。根據(jù)型號(hào)不同，測(cè)量范圍可以從10nm到250um，它最高可以同時(shí)測(cè)量4個(gè)膜層中的3個(gè)膜層厚度（其中一層為基底材料）。該產(chǎn)品可應(yīng)用于在線膜厚測(cè)量，測(cè)氧化物、SiNx、感光保護(hù)膜和半導(dǎo)體膜，也可以用來(lái)測(cè)量鍍?cè)阡摗X、銅、陶瓷和塑料等上的粗糙膜層。

開(kāi)爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置，用于測(cè)量導(dǎo)體材料的功函數(shù)(Work Function)或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(shì)(Surface Potential)。材料表面的功函數(shù)通常由最上層的1-3層原子或分子決定，所以開(kāi)爾文探針是一種最靈敏的表面分析技術(shù)。主要型號(hào)：KP020 (單點(diǎn)開(kāi)爾文探針)，SKP5050(掃描開(kāi)爾文探針)。

德國(guó)WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。 電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā)，其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導(dǎo)體(如GaN)。