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產(chǎn)品名稱: WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量儀
德國WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測試儀可高效、準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
電化學(xué)ECV剖面濃度測試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來測量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上,例如:硅、鍺、III-V族化合物半導(dǎo)體(如GaN)。
CVP21的系統(tǒng)特點:
- 堅固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu),光學(xué)、電子和化學(xué)部分相對獨立;
- 精確的測量電路模塊;
- 強力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡便;
- 完善的售后服務(wù)體系;
- 提供免費樣品測試并提供測試報告。
- 保修期:2年,終身維修。
- 對用戶承諾終身免費樣品測試,每月1次。
技術(shù)參數(shù):
CVP21電化學(xué)CV剖面濃度分析儀完美結(jié)合了WEP在電化學(xué)方分布測試方面超過30年的經(jīng)驗和世界上最先進(jìn)的電路系統(tǒng)。全自動,特別適用于新材料,如氮化鎵、碳化硅材料等。
可有效檢測:外延材料、擴散、離子注入。
載流子濃度測量范圍:1011/cm3~1021/cm3 ;
深度分辨率:低至1nm;
模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):
- 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu);
- 實時監(jiān)控腐蝕過程;
- 適于微小樣品及大尺寸的晶圓;
- 全自動化系統(tǒng);
主要特點:
CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布完美的解決方案:
1. CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。
- IV族半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
- III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
- 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
- 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
- II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
- 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。
2. CVP21可測試不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預(yù)先咨詢我們)。
3. CVP21擁有很好的分辨率范圍:
* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)
4. CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測量系統(tǒng):
* 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機械、光學(xué)、液體傳動幾個主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計)
* 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無須用戶再次校準(zhǔn))
* 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實驗室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)
* 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制;每次測量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)
* 實驗菜單(測量菜單預(yù)定義,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理。)
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